| 361 |
101-1
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研究獎勵
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Characterization study of GaN-based epitaxial layer and light-emitting diode on nature-patterned sapphire substrate
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| 362 |
101-2
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教學計畫表
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化材四：專題研究 TEDXB4T0136 2E
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| 363 |
101-2
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教學計畫表
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化材一碩士班：高等固態物理與化學 TEDXM1E2770 0A
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| 364 |
101-2
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教學計畫表
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化材一：全球科技革命 TEDXB1H0003 0C
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| 365 |
101-2
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教學計畫表
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化材一：資訊概論 TEDXB1E1034 2P
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| 366 |
101-2
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教學計畫表
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化材一：資訊概論 TEDXB1E1034 2A
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| 367 |
101-1
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研發處: 研究計畫 (國科會)
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具有奈米級微結構表面之高亮度垂直式氮化鎵發光二級體元件製作(II)-子計畫三：新型基板轉移技術應用於垂直式發光二極體元件之研究(II)
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| 368 |
100-1
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研究獎勵
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Optical properties of self assembled GaN polarity inversion domain boundary
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| 369 |
101-1
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論文指導
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化材一碩士班 陳洛嶙
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| 370 |
101-1
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論文指導
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化材一碩士班 趙思涵
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| 371 |
101-1
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教學計畫表
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化材一：資訊概論 TEDXB1E1034 1P
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| 372 |
101-1
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教學計畫表
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化材一：資訊概論 TEDXB1E1034 1A
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| 373 |
101-1
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教學計畫表
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共同科－工：材料科學 TGEXB0E0182 0A
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| 374 |
101-1
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教學計畫表
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化材一碩士班：高等化工熱力學 TEDXM1E1235 0A
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| 375 |
100-2
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教學計畫表
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化材一碩士班：專題討論 TEDXM1T0140 2A
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| 376 |
100-2
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教學計畫表
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化材一：資訊概論 TEDXB1E1034 2P
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| 377 |
100-2
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教學計畫表
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化材一：資訊概論 TEDXB1E1034 2A
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| 378 |
100-2
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教學計畫表
|
化材一碩士班：高等固態物理與化學 TEDXM1E2770 0A
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| 379 |
100-2
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教學計畫表
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化材一：全球科技革命 TEDXB1H0003 0C
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| 380 |
100-1
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研發處: 研究計畫 (國科會)
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具有奈米級微結構表面之高亮度垂直式氮化鎵發光二極體元件製作-子計畫三:新型基板轉移技術應用於垂直式發光二極體元件之研究(I)
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| 381 |
100-1
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論文指導
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化材一碩士班 羅瑛蕙
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| 382 |
100-1
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論文指導
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化材一碩士班 賴永裕
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| 383 |
100-1
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出席學術性會議
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2011 SPIE 光電年會
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| 384 |
98-2
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期刊論文
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Fabrication of high-power InGaN-based light-emitting diode chips on pyramidally patterned sapphire substrate
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| 385 |
100-1
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教學計畫表
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共同科－工：材料科學 TGEXB0E0182 0A
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| 386 |
100-1
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教學計畫表
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化材一碩士班：高等化工熱力學 TEDXM1E1235 0A
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| 387 |
100-1
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教學計畫表
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化材一：資訊概論 TEDXB1E1034 1P
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| 388 |
100-1
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教學計畫表
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化材一碩士班：專題討論 TEDXM1T0140 1A
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| 389 |
99-2
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教學計畫表
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化材一碩士班：專題討論 TEDXM1T0140A1A
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| 390 |
100-1
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教學計畫表
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化材一：資訊概論 TEDXB1E1034 1A
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