| 331 |
102-1
|
研究獎勵
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A Stress Analysis of Transferred Thin-GaN Light-Emitting Diodes Fabricated by Au-Si Wafer Bonding
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| 332 |
101-2
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教學計畫表
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化材一：資訊概論 TEDXB1E1034 2P
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| 333 |
101-2
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教學計畫表
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化材一：全球科技革命 TEDXB1H0003 0C
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| 334 |
101-2
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教學計畫表
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化材一：資訊概論 TEDXB1E1034 2A
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| 335 |
101-2
|
教學計畫表
|
化材一碩士班：高等固態物理與化學 TEDXM1E2770 0A
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| 336 |
101-2
|
教學計畫表
|
化材四：專題研究 TEDXB4T0136 2E
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| 337 |
102-1
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教學計畫表
|
化材四：專題研究 TEDXB4T0136 0A
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| 338 |
101-2
|
期刊論文
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A Stress Analysis of Transferred Thin-GaN Light-Emitting Diodes Fabricated by Au-Si Wafer Bonding
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| 339 |
101-2
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教學計畫表
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共同科－工：綠能科技新知 TGEXB0E3416 0A
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| 340 |
101-2
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教學計畫表
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化材四：專題研究 TEDXB4T0136 0F
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| 341 |
101-2
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教學計畫表
|
共同科－工：綠能科技新知 TGEXB0E3416 0B
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| 342 |
102-1
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教學計畫表
|
共同科－工：節能照明技術 TGEXB0E3405 0A
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| 343 |
102-1
|
教學計畫表
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化材四：半導體製程概論 TEDXB4E1864 0P
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| 344 |
101-1
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研究獎勵
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Fabrication of vertical thin-GaN light-emitting diode by low-temperature Cu/Sn/Ag wafer bonding
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| 345 |
101-1
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研究獎勵
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Characterization study of GaN-based epitaxial layer and light-emitting diode on nature-patterned sapphire substrate
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| 346 |
100-2
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期刊論文
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Characterization study of GaN-based epitaxial layer and light-emitting diode on nature-patterned sapphire substrate
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| 347 |
101-1
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研發處: 研究計畫 (國科會)
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具有奈米級微結構表面之高亮度垂直式氮化鎵發光二級體元件製作(II)-子計畫三：新型基板轉移技術應用於垂直式發光二極體元件之研究(II)
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| 348 |
100-2
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教學計畫表
|
化材一：資訊概論 TEDXB1E1034 2A
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| 349 |
100-2
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教學計畫表
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化材一碩士班：高等固態物理與化學 TEDXM1E2770 0A
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| 350 |
100-1
|
教學計畫表
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化材一碩士班：專題討論 TEDXM1T0140 1A
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| 351 |
100-2
|
教學計畫表
|
化材一：資訊概論 TEDXB1E1034 2P
|
| 352 |
101-1
|
教學計畫表
|
化材一：資訊概論 TEDXB1E1034 1P
|
| 353 |
100-2
|
教學計畫表
|
化材一：全球科技革命 TEDXB1H0003 0C
|
| 354 |
101-1
|
教學計畫表
|
化材一：資訊概論 TEDXB1E1034 1A
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| 355 |
101-1
|
教學計畫表
|
共同科－工：材料科學 TGEXB0E0182 0A
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| 356 |
100-2
|
教學計畫表
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化材一碩士班：專題討論 TEDXM1T0140 2A
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| 357 |
101-1
|
教學計畫表
|
化材一碩士班：高等化工熱力學 TEDXM1E1235 0A
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| 358 |
100-1
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研究獎勵
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Optical properties of self assembled GaN polarity inversion domain boundary
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| 359 |
101-1
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論文指導
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化材一碩士班 陳洛嶙
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| 360 |
101-1
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論文指導
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化材一碩士班 趙思涵
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