X-ray absorption spectroscopic investigations on oxidized Ni/Au contacts to p-GaN
學年 89
學期 2
出版(發表)日期 2001-03-01
作品名稱 X-ray absorption spectroscopic investigations on oxidized Ni/Au contacts to p-GaN
作品名稱(其他語言)
著者 Jan, J. C.; Asokan, K.; Chiou, J. W.; Pong, Way-faung; Tesng, P. K.; Chen, F. R; Chen, J. F.; Lee, J. S.; Wu, H.; Lin, J.; Chen, C. T.
單位 淡江大學物理學系
出版者 Malden: Wiley-Blackwell Publishing, Inc.
著錄名稱、卷期、頁數 Journal of synchrotron radiation 8(2), pp.827-829
摘要 X-ray absorption spectroscopy was used to investigate the electronic structure of as-deposited and oxidized Ni/Au contacts to p-GaN and to elucidate the mechanism responsible for low impedance. X-ray absorption near edge spectra of Ni K- and L3,2-edges clearly indicate formation of NiO on the sample surface after annealing. The reason for low impedance may be attributed to increase in hole concentration and existence of p-NiO layer on the surface.
關鍵字 p-GaN; X-ray absorption; Ni/Au contacts; p-NiO
語言 en
ISSN 1600-5775 0909-0495
期刊性質 國外
收錄於
產學合作
通訊作者
審稿制度
國別 USA
公開徵稿
出版型式 紙本 電子版
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